高攀
,
张万荣
,
邱建军
,
杨经纬
,
金冬月
,
谢红云
,
张静
,
张正元
,
刘道广
,
王健安
,
徐学良
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.
关键词:
HBT
,
SiGe
,
横向尺寸
,
高频噪声
金冬月
,
张万荣
,
谢红云
,
沈珮
,
胡宁
,
甘军宁
,
李佳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.017
提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性.模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善.上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距的增加,从而有效阻止热流由外侧指流向中心指处.此外,与均匀指间距结构器件相比,其热阻改善13.71%,热退化功率水平提高22.8%.因此,模拟和实验均证明采用非均匀指间距结构HBT的版图设计可有效改善功率HBTs热稳定性.
关键词:
SiGe
,
HBT
,
热稳定性
李献杰
,
曾庆明
,
徐晓春
,
敖金平
,
刘伟吉
,
梁春广
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.012
用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
关键词:
InP
,
InGaAs
,
选择腐蚀
,
HBT
曾庆明
,
徐晓春
,
刘伟吉
,
李献杰
,
敖金平
,
王全树
,
郭建魁
,
赵永林
,
揭俊锋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
关键词:
GaAs
,
HBT
,
微波单片集成电路
杨沛锋
,
李开成
,
何林
,
刘道广
,
张静
,
李竞春
,
谢孟贤
,
杨谟华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.007
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
关键词:
锗硅材料
,
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
优化设计
杨维明
,
史辰
,
谢万波
,
吴楠
,
陈建新
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.017
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
关键词:
锗硅合金
,
异质结晶体管
,
高阻衬底
