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附加O离子注入对单晶Si中H注入损伤的影响研究

王卓 , 田光 , 石少波

硅酸盐通报

室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥...

关键词: H离子注入 , 空腔 , 单晶Si