Hengcheng LIAO
,
Guoxiong SUN
材料科学技术（英）
Optical microscope and scanning electron microscope were used to observe the microstructure of the Al-11.6%Si and Al-11.6%Si-0.4%Mg alloys and the morphology of the massive silicon particles. It is found that the massive silicon phase, observed in the unfully modified alloys with 0.010%Sr, disappears completely in the alloys fully modified with 0.020%Sr. The serrations and reentrant edges shown in the massive silicon particles with the conventional casting indicate that the TPRE mechanism plays an important role in the growth of the massive silicon phase. The ripples and steps suggest that the "lateral microscopic growth" may be another operating mechanism.
关键词:
Al-Si alloy
,
null
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null
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null
唐沛
,
高勇军
,
杨敬贺
,
李文静
,
赵华博
,
马丁
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(14)60150-9|
以热解氧化石墨烯材料为碳基底，分别使用有机氮源和无机氮源对其进行氮掺杂处理，制备了一系列氮掺杂石墨烯材料。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱等表征方法考察了氮掺杂石墨烯的生长机理。结果表明，随着制备过程中退火温度的改变，氮掺杂石墨烯中不同氮物种的含量有显著差别。这种差异是由不同氮物种化学环境的差异所导致的。所制备的含氮石墨烯材料对乙苯选择性氧化制苯乙酮反应均表现出优良的催化活性。其中，石墨氮的含量对于提高苯乙酮收率起到至关重要的作用。此外，通过氧化剂控制活化的方法可以消除过多的结构缺陷和过量氮掺杂对催化反应的不利影响，有效提升氮掺杂石墨烯的催化活性。
关键词:
氮掺杂石墨烯
,
杂原子
,
生长机理
,
乙苯氧化反应
王富成
,
赵雷
,
方伟
,
何漩
,
梁峰
,
陈辉
,
陈欢
,
杜星
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(15)60187-1
不加金属催化剂,以碱木素酚醛树脂( LPF)和硅粉作为原料在低温条件下合成SiC纳米线。利用SEM、TEM、XRD表征样品的形貌及显微结构,用热力学方法分析反应条件对SiC纳米线生长的影响。结果表明,SiC纳米线在1100℃左右开始生长,其由气-液-固生长机理控制,同时其生成温度比用商业酚醛树脂作为原料低。生成的SiC纳米线的直径为30~100 nm并沿晶面的[111]方向生长。碱木素酚醛树脂中的无机盐在热解炭化过程中原位形成熔盐并起着液相催化剂球滴的作用,促进SiC纳米线的生长,并提出合成SiC纳米线的生长机理模型。
关键词:
SiC纳米线
,
生长机理
,
微观结构
,
原位熔盐
Vladimir V.Chesnokov
,
Olga Yu.Podyacheva
,
Alexander N.Shmakov
,
Lidiya S.Kibis
,
Andrei I.Boronin
,
Zinfer R.Ismagilov
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(15)60982-2
研究了Ni催化剂上碳纳米纤维,以及Ni和Ni-Cu催化剂上N掺杂的碳纳米纤维的生长机理.结果表明,这两个过程的机理均包含了表面非计量碳化镍的形成,然后是碳或碳和氮通过催化剂颗粒体相的溶解和扩散.
关键词:
碳纳米纤维
,
氮掺杂
,
生长机理
,
镍基催化剂
Haiwu ZHENG
,
Junjie ZHU
,
Zhuxi FU
,
Bixia LIN
,
Xiaoguang LI
材料科学技术（英）
3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the low-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) with gas mixtures of SiH4, C3H8 and H2. The growth mechanism of SiC films can be obtained through the observations using field emission scanning electron microscope (FESEM). It is found that the growth process varies from surface control to diffusion control when the deposition temperature increases from 1270 to 1350℃. The X-ray diffraction (XRD) patterns show that the SiC films have good crystallinity and strong preferred orientation. The results of the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) image and the transmission electron diffraction (TED) pattern indicate a peculiar superlattice structure of the film. The values of the binding energy in the high resolution X-ray photoelectron spectra (XPS) further confirm the formation of SiC.
关键词:
3C-SiC films
,
null
,
null
