韩小红
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杨艳芳
,
何英
,
徐凯
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李春芳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.013
Goos-H(a)nchen(GH)位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难.提出了一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法.研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时,光的偏振态也随之变化.利用LCLV对光偏振态的调制和LBP记录光斑的重心位置的变化,直接测量出TE和TM两种偏振态入射时棱镜单界面反射光束的GH位移差.这个探测方法简单,不需要复杂的外部处理电路,且实验结果与理论结果很吻合,此方法也可以进一步直接测量二维位移.
关键词:
光电子学
,
Goos-H(a)nchen位移
,
液晶光阀
,
光束分析仪
杨晓芳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.03.012
研究了含Rashba自旋轨道耦合的磁电调制半导体二维电子气中弹道电子反常位移(Goos-H(a)nchen位移,即GH位移),实现了弹道电子的自旋分离,为自旋分离器件的设计提供了理论依据.研究结果表明:通过调节结构的各个参数包括入射角、磁场强度和Rashba自旋轨道耦合系数,可以有效地调控GH位移;位移在一定条件下可以为正也可以为负;体系中弹道电子的GH位移和自旋极化态有密切关系,这个自旋相关的位移可以用来分离不同自旋极化的电子束.基于这些现象,提出了一种利用GH位移在半导体2DEG中分离不同自旋极化电子的方法,这些现象在设计自旋电子学器件上有所作用.
关键词:
光电子学
,
自旋分离
,
Goos-H(a)nchen位移
,
Rashba自旋轨道耦合
