吴小文
,
张维佳
,
钟立志
,
黄浩
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.01.013
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2~4范围内变化;薄膜的沉积速率随射频功率增大而增大,但当功率达到60 W以后其变化不明显;沉积速率随温度的增加而减少;该薄膜具有透长波红外的性能.
关键词:
Ge1-xCx薄膜
,
PECVD
,
红外特性
,
沉积速率