魏榕山丁晓琴何明华
材料研究学报
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点, 用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性, 研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明: 随着退火温度的升高, 量子点中Ge的组分下降, 量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后, 量子点材料已经完全弛豫。
关键词:
无机非金属材料
,
rapid thermal annealing(RTA)
,
Ge quantum dots
,
DCXRD
,
Raman spectrum
,
null
刘鹏强
,
王茺
,
周曦
,
杨杰
,
杨宇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.05.012
采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge 量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差；此时,量子点中的 Si 组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善；此时,量子点中的Si含量降低。
关键词:
离子束溅射
,
Ge量子点
,
扩散
,
C诱导
