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Ge/Si量子点生长的研究进展

鲁植全 , 王茺 , 杨宇

材料导报

回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展.主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化.

关键词: Ge/Si量子点生长 , 图形衬底 , 表面原子掺杂 , 超薄SiO2层 , Ge组分