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Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究

毛旭 , 周湘萍 , 王勇 , 杨宇

功能材料

利用超高真空磁控溅射系统生长了不同偏压下Ge/Si薄膜材料,所生长的材料采用了不加偏压和加偏压的生长环境.通过X射线小角衍射分析表明,加一定偏压的Ge/Si薄膜材料的层状远比不加偏压的材料好,并且加偏压可有效降低材料的生长温度.在加15～25V偏压时,获得了300℃的生长温度下,层状优良,粗糙度小的薄膜材料.

关键词: Ge/Si薄膜材料 , 偏压 , X射线小角衍射 , 磁控溅射