张玉红
,
江学良
,
孙刚
,
王维
,
张姣
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150518.004
以分散聚合法制备的聚苯乙烯(PS)微球作为模板,通过均相沉淀法制备前驱体PS-Gd(OH) CO3复合微球,高温煅烧后得到Gd2O3空心微球,将其与丁基橡胶复合制备低频高阻尼Gd2O3/丁基橡胶复合材料.采用FTIR、SEM、TEM分析、TG分析仪、XRD分析和XPS对Gd2O3空心微球的形貌与结构组成进行表征.将Gd2O3空心微球与粉体分别作为填料加入丁基橡胶中制备Gd2O3/丁基橡胶复合材料.结果表明:Gd2O3空心微球由立方萤石结构的颗粒组成,外空心直径为0.9 μm,壳层厚度约为100 nm;添加空心微球的复合材料阻尼性能较好;与纯丁基橡胶相比,Gd2O3/丁基橡胶复合材料的低频阻尼性能明显提高.
关键词:
聚苯乙烯
,
模板
,
Gd2O3
,
空心微球
,
低频阻尼性能
于丽丽
,
黎先财
,
程玉雯
,
杨沂凤
,
林迎春
,
郭辉瑞
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201605009
采用浸渍法制备一系列以稀土氧化物为载体的NiWP催化剂.在固定床反应装置上考查其在973K～1123K温度范围内CO2重整CH4的催化活性,发现NiWP/Y2O3催化剂催化活性最好,其在1073 K时,CH4和CO2的转化率达到了98％和90％.同时考察了以Y2 O3为载体的Ni,NiW,NiP,WP,NiWP的催化剂在固定床反应装置上在1023 K～1123 K温度范围内CO2重整CH4的催化活性及其稳定性.并通过XRD,H2-TPR等手段对催化剂进行了表征.结果表明,不同催化活性组分对催化剂NiWP/Y2O3有明显的影响,在1073 K时,NiWP/Y2O3的催化活性最好,CH4和CO2的转化率为98％和90％,其次为Ni/Y2O3,其CH4和CO2的转化率为88.5％和77％.同时在1073 K下,NiWP/Y2O3催化剂的稳定性亦优于其他几种催化剂的稳定性,其在10小时后的CH4的转化率为95.1％与10小时前CH4的转化率相差不大.并对积碳后催化剂进行TG-DTG表征,结果表明,不同活性组分催化剂积碳后的积碳量不同,其积碳种类也不尽相同,其中NiWP/Y2O3催化剂的积碳率最少为9.74％,其积碳以丝状碳和石墨碳为主;Ni/Y2O3和NiW/Y2O3的积碳率相差不大,为14.38％和14.63％,而NiP/Y2O3的积碳率为35.6％,这三者的积碳以丝状碳为主.
关键词:
NiWP
,
重整
,
Y2O3
,
Eu2O3
,
Gd2O3
张溶
,
秦连杰
,
王波
,
高明军
,
葛如
,
冯志强
材料导报
分别用络合共沉淀法和溶胶-凝胶燃烧法制备了掺钕氧化钆镧粉体,用热分析仪(TG-DTA)、X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对制备的粉体进行了分析.结果表明,用络合共沉淀法制备的粉体经不同温度热处理后均为立方相结构,颗粒小、均一、呈薄片状、晶界清晰;用溶胶-凝胶燃烧法制备的粉体随着热处理温度的升高由单斜相转变为立方相, 经1100°C热处理后的粉体为单斜相,蓬松、多孔,有一定程度的团聚,经1300°C热处理后转变为立方相,颗粒呈球状、均一、晶界清晰,颗粒较大.综合对比2种方法发现,络合共沉淀法更适合制备(Nd∶GdLa)2O3粉体.
关键词:
粉体
,
Gd2O3
,
络合共沉淀法
,
溶胶-凝胶燃烧法
张心强
,
屠海令
,
杜军
,
杨萌萌
,
赵鸿滨
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.013
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110] GDH∥[110]Ge.通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著.得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃.用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm.采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k-28,EOT ～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用.
关键词:
Gd2O3
,
HfO2
,
Ge
,
外延
,
激光脉冲沉积
,
高k
郭艳艳
,
王殿元
,
王芳
,
赵鑫
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20150305
采用低温燃烧法制备出Li+,Er3+共掺杂Gd203纳米粉体,将粉体压片成型后在1500 ℃真空条件下烧结10 h成功制备出Li+,Er3+共掺杂Gd2 O3半透明陶瓷.对粉体和半透明陶瓷样品的晶体结构、形貌、显微结构和上转换发光特性等用XRD,TEM,SEM,FL等手段进行了表征和研究.结果表明:Li+和Er3+均匀地溶解于Gd2O3晶格之中.粉体颗粒近似球形,粒径约20～ 30 nm.烧结后半透明陶瓷致密度高,未见气孔存在,透光率高;在980 nm LD激发下有两个峰值波长分别为561 nm(绿光)和658 nm(红光)上转换发光带,分别对应4S3/2/2H11/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁;Li+的掺杂抑制了Gd2 O3由立方到单斜的相变,且使陶瓷样品中Er3+的上转换发光强度显著增强,红绿光之比大大提高.
关键词:
半透明陶瓷
,
Gd2O3
,
燃烧法
,
上转换发光
宋希文
,
王晓峰
,
安胜利
,
赵文广
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.06.012
采用改进的氨水-双氧水法制备了纳米(CeO2)0.95(GdO1.5)0.05粉末,并利用TGA/DTA、XRD和TEM对粉末进行了表征. 由TGA/DTA分析曲线可知,粉末在621℃完全转化为晶态(CeO2)0.95(GdO1.5)0.05;XRD分析表明,粉末样品为萤石结构,计算得粉末的粒度为5.23 nm,晶胞常数为0.5406 nm;由TEM照片可以看出,粉末呈软团聚状,颗粒细小均匀,粒径分布在5～10nm范围内,与XRD的分析计算结果基本一致.用SPS法制备了纳米(CeO2)0.95(GdO1.5)0.05固体电解质材料,采用交流阻抗法测试其电导率,晶格电导率为1.32E-3 S/cm, 晶界电导率为0.24E-5 S/cm, 与普通材料相比, 纳米材料的晶格电导率提高了两倍, 晶界电导率提高了100多倍,但晶界电导仍小于晶格电导,即晶界仍然是阻抗性的.
关键词:
沉淀法
,
纳米材料
,
CeO2
,
Gd2O3
,
电导率
张吉林
,
孙德慧
,
洪广言
功能材料
掺杂Eu和Tb离子的一维稀土氧化物发光材料因具有与其体相材料不同的光谱特性在近年来引起了人们的极大研究兴趣.(Gd0.9Eu0.1)(OH)3和(Gd0.9Tb0.1)(OH)3纳米棒前驱物通过水热法首先被合成,然后经退火处理得到Gd2O3:RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒.FE-SEM的形貌测试结果表明,Gd2O3:RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒有约为20～60nm直径和200～500nm长度.XRD的结构测试证实,所得到的Gd2O3:RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒样品均属于立方晶系.光谱测试结果表明,同体相材料相比,Gd2O3:RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒的Eu3+和Tb3+的特征发光峰出现了宽化现象,样品的纳米表面效应可能是导致其发光峰宽化的主要原因.
关键词:
Gd2O3
,
Eu3+
,
Tb3+
,
纳米棒
,
水热合成
李玲霞
,
赵晶
,
郭锐
,
王洪茹
稀有金属材料与工程
研究了添加稀土元素Gd2O3,Dy2O3对本系统介电性能的影响规律.实验表明,适量添加稀土元素能有效减少材料内部的缺陷和空位,并抑制B位Nb5+离子的松弛极化,明显改善材料的介电损耗(tgδ<1×10-3).另外Gd3+,Dy3+取代部分Ag+,减小A位离子的平均半径,导致材料介电常数增大和减小的两种机制同时存在.当添加量适当时可以使材料的介电常数ε达到550以上.
关键词:
钽铌酸银
,
稀土元素
,
Gd2O3
,
Dy2O3
张红
,
冯勇
,
周廉
,
张翠萍
,
于泽铭
,
熊晓梅
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.021
对于Gd-Ba-Cu-O超导体的制备,因为Gd3+对Ba2+位替代程度很小,所以,即使在空气中制备的Gd-Ba-Cu-O超导体,也具有相当好的Jc-B特性,从实际应用观点来看,是很具有吸引力的.本文采用"粉末熔化处理法 (PMP)"在空气中制备Gd-Ba-Cu-O,研究Gd211和Gd2O3的添加对Gd-Ba-Cu-O超导性能的影响.研究表明过量的Gd211(Gd2O3)的添加可以减小弥散分布在Gd-Ba-Cu-O超导块的Gd211粒子,提高Gd-Ba-Cu-O块材的超导性能.但过多的Gd211的添加会使相应的Gd123相减少,从而降低了样品的超导性能.由本实验结果可看出Gd211的最佳添加量为20mol%.将Gd211替换为Gd2O3,其过量的添加同样提高了Gd-Ba-Cu-O块材的超导性能,Gd2O3的添加也存在一个最佳添加量,为15mol%.由于Gd2O3形成Gd211的同时,消耗了Ba原子,并同时提高了Gd的浓度,造成Gd-Ba固溶度的增加,导致Gd-Ba-Cu-O块材的超导性能下降,因此Gd2O3的最佳添加量要小于Gd211的最佳添加量.
关键词:
Gd211
,
Gd2O3
,
Gd-Ba-Cu-O
,
粉末熔化处理法
魏树权
,
张密林
,
韩伟
,
颜永得
,
张斌
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00367
在LiCl-KCl-MgCl2-Gd2O3熔盐体系中采用电化学共沉积法制备Mg-Li-Gd合金,借助循环伏安和计时电位技术对熔盐电化学行为进行探讨,并运用XRD,SEM,EDS和OM对所得合金进行测试.研究结果表明,Gd2O3在LiCl-KCl熔盐体系中几乎不溶,而在LiCl-KCl-MgCl2熔盐中有一定的溶解度,而且随着温度的升高,Gd2O3的溶解度也随之增大.循环伏安和计时电位研究表明,添加MgCl2和Gd2O3后,Li的沉积电位向正向移动,当阴极电位小于-2.30 V或阴极电流密度大于0.776 A/cm2时,可以实现Li,Mg和Gd共同析出.通过对电解条件的考察可知,电解温度对电流效率影响很大,当电解温度为873 K时,电流效率最大为78.87%.阴极电流密度高,则制备的Mg-Li-Gd合金中Li的含量较高.合金微观组织分析表明,在Mg-Li-Gd合金中存在Mg3Gd相.Gd对Mg-Li合金有细化作用,而且随着Gd含量的增多,合金的晶粒细化越明显.由Gd元素的面扫描可知,Gd主要分布在晶界处.
关键词:
共电沉积
,
Mg-Li-Gd合金
,
Gd2O3
,
氯化物熔盐
