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GaSe晶体的掺S生长及性能研究

黄昌保 , 倪友保 , 吴海信 , 王振友 , 肖瑞春 , 戚鸣

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150032

当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技术，成功生长出了较大尺寸的GaSe0.89S0.11单晶体(f20×60 mm3)。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明，质量分数为2.38%的 S掺杂的GaSe晶体(GaSe0.89S0.11)没有发生结构相变；它的机械性能得到了明显的改善，同时光学性能也得到了一定的提高。

关键词: GaSe0.89S0.11 , 掺杂 , 改进的Bridgman炉 , 坩埚旋转