魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
曹文田
,
庄惠照
,
董志华
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412 nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合.
关键词:
GaN薄膜
,
荧光光谱
,
带边发射
,
辐射复合
赵浙
,
叶志镇
材料导报
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.
关键词:
GaN薄膜
,
p型掺杂
,
综述
,
自补偿模型
,
共掺杂工艺
何建廷
,
宿元斌
,
杨淑连
,
卢恒炜
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜.直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响.
关键词:
ZnO缓冲层
,
GaN薄膜
,
退火
,
结晶
倪贤锋
,
叶志镇
材料导报
氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命.并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法.
关键词:
GaN薄膜
,
位错
,
非辐射复合中心
,
漏电流
孙莉莉
,
薛成山
,
艾玉杰
,
孙传伟
,
庄惠照
,
张晓凯
,
王福学
,
陈金华
,
李红
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
关键词:
磁控溅射
,
氨化
,
GaN薄膜
,
Ti
孙振翠
,
曹文田
,
王书运
,
薛成山
,
伊长虹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.001
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.
关键词:
Ga2O3薄膜
,
GaN薄膜
,
射频磁控溅射
,
扩镓时间
王小增
,
杨久红
人工晶体学报
首先建立了数值模型分析工作中LED芯片的界面剪应力,根据线性累积损伤理论、GaN薄膜和Al2O3衬底的S-N曲线及随季节变化的载荷谱,确定了GaN薄膜的疲劳损伤系数.分析了温度载荷、芯片尺寸、衬底和薄膜厚度对薄膜热疲劳的影响.GaN薄膜和Al2 O3衬底的S-N曲线为单对数线性关系.LED芯片应力谱分析表明夏季交变应力载荷最大,春秋次之,冬季最小.GaN薄膜剪应力数值和理论解相差6.3％,建立的数值模型可用于LED芯片疲劳寿命分析.LED芯片寿命主要由GaN薄膜决定.GaN薄膜的最大剪应力和疲劳损伤系数随薄膜厚度和温度载荷增加,与芯片尺寸和衬底厚度无关,衬底的疲劳损伤系数不随上述因素变化.数值模型预测LED芯片疲劳寿命接近标称的LED灯具寿命.
关键词:
GaN薄膜
,
Al2O3衬底
,
剪应力
,
疲劳损伤系数
,
S-N曲线
徐明升
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.
关键词:
SiC衬底
,
GaN薄膜
,
AlGaN成核层
,
应力
,
晶体质量
王书运
,
庄惠照
,
高海永
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.025
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
关键词:
射频磁控溅射
,
GaN薄膜
,
ZnO缓冲层
,
氨化反应
莫亚娟
,
王晓丹
,
曾雄辉
,
高崴崴
,
王建峰
,
徐科
人工晶体学报
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.
关键词:
GaN薄膜
,
离子注入
,
阴极荧光谱
