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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

肖洪地 , 马洪磊 , 薛成山 , 马瑾 , 宗福建 , 张希键 , 计峰 , 胡文容

功能材料

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.

关键词: Ga2O3粉末 , GaN粉末 , 氮化温度

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