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SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析

于国建 , 徐明升 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90％,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级.

关键词: 高分辨X射线衍射 , SiC衬底 , GaN外延层