陈丹
,
吕建国
,
黄靖云
,
金豫浙
,
张昊翔
,
叶志镇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12482
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能.当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优.将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10V,芯片亮度随正向电流的增大而增强.二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因.
关键词:
AZO薄膜
,
GaN基LED
,
透明电极
,
脉冲激光沉积
李程程
,
徐智谋
,
孙堂友
,
王智浩
,
王双保
,
张学明
,
彭静
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12550
蓝宝石图形衬底可以降低外延位错密度并增强背散射光,已经成为制备高亮LED有效技术手段.本研究运用时域有限差分(FDTD)法模拟和比较了GaN基微纳米图形衬底LED几种衬底图形结构对光的提取效率的影响.模拟结果显示纳米图形衬底(NPSS)对光效的提高明显优于微米图形衬底(MPSS).在对圆柱、圆孔、圆台、圆锥和曲面锥等纳米结构的研究中,圆台柱结构的纳米图形衬底对光提取效果最好.通过进一步模拟优化,得到圆台结构的最佳参数,此时相对于普通衬底LED光的提取效率提高了96.6％.试验中,采用软模压印技术在蓝宝石基片上大面积制备出纳米圆台图形衬底,并测得外延生长GaN层后的外延片的PL强度增加了8倍,可见纳米图形衬底对提高LED的出光效率有显著效果.
关键词:
GaN基LED
,
FDTD
,
图形衬底
,
纳米压印
