姚雨
,
靳彩霞
,
董志江
,
孙卓
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.008
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片.聚苯乙烯纳米颗粒在于法刻蚀中作为刻蚀掩膜.通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数.结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%.
关键词:
GaN基发光二极管
,
铟锡氧化物
,
表面粗化
,
自然光刻
