梁晓琴
,
周金君
,
黄平
,
杨春
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.023
采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken 布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数等性质.结果表明,温度会影响 TiO2分子中两个 O 原子与 GaN 表面两个Ga 原子成键顺序；500℃时 O2—Ga3成键的时间最早,TiO2在 GaN(0001)表面吸附生长的速率最快.600℃下TiO2分子在物理吸附阶段的扩散系数比在500℃下扩大了接近100倍,500℃时 O—Ga1的局域电荷分布ELF值最大为0．750,说明500℃下 O—Ga1键共价性最强.由此可见,TiO2分子在 GaN(0001)吸附生长最佳温度是500℃.
关键词:
TiO2
,
GaN(0001)
,
温度
,
动力学
,
吸附
