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快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

边历峰 , 江德生 , 陆书龙

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.037

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成S-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态.

关键词: MBE , GaInNAs , 光致荧光谱(PL) , S-型温度依赖关系

长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器

晏长岭 , 秦莉 , 张淑敏 , 宁永强 , 王青 , 赵路民 , 刘云 , 王立军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.05.004

新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件.本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述.

关键词: 激光技术 , 长波长激光 , GaInNAs , 垂直腔面发射激光器(VCSEL)

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