张子旸
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张宝林
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周天明
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蒋红
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金亿鑫
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李树玮
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功能材料
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.
关键词:
GaInAsSb
,
位错
,
层错
,
STEM
李志怀
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夏冠群
,
程宗权
,
黄文奎
,
伍滨和
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.008
研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向 特性起主要作用 ,当反向偏压大于 0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用.
关键词:
GaInAsSb
,
红外探测器
,
PSPICE
