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GaAs多量子阱的光电流谱

程兴奎 , 周均铭 , 黄绮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.023

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

关键词: GaAs量子阱 , 光电流 , 电子干涉