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C掺杂GaAs外延层光学特性分析

邢艳辉 , 李建军 , 邓军 , 韩军 , 盖红星 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.019

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.

关键词: 光电子学 , GaAs掺杂 , 光荧光谱 , X射线衍射