胡帆
,
晁明举
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梁二军
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姜雅丽
材料导报
采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究.结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒.Mn掺杂使Ga2O3价带项向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强.
关键词:
Ga2O3薄膜
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Mn掺杂
,
磁控溅射
,
微观结构
,
光吸收性能
孙振翠
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曹文田
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王书运
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薛成山
,
伊长虹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.001
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.
关键词:
Ga2O3薄膜
,
GaN薄膜
,
射频磁控溅射
,
扩镓时间
王显明
,
杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属材料与工程
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm～90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高.
关键词:
氨化
,
Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
庄惠照
,
高海永
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.019
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.
关键词:
射频磁控溅射
,
Ga2O3薄膜
,
GaN晶体膜
,
氮化温度
薛成山
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
曹文田
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm～300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD、XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移.
关键词:
Ga2O3薄膜
,
GaN微米带
,
射频磁控溅射
侯峰
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王科伟
,
徐廷献
,
徐明霞
稀有金属材料与工程
实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过程中,发生镓与柠檬酸的络合,并在干燥过程中依靠氢键形成大分子聚合物.采用提拉涂覆溶胶-凝胶法在多晶氧化铝基片表面形成凝胶膜后,经800℃下热处理,凝胶膜转化为单斜相β-氧化镓陶瓷薄膜.重复镀膜和热处理及超声清洗过程8个～10个周期,最后在800℃下烧结,保温1h,得到粒径为50nm～100nm左右的多孔纳米薄膜.采用自制系统检测β-Ga2O3薄膜的氧敏性能,结果表明:Fe掺杂的氧化镓薄膜材料,在400℃～800℃范围内,在理论空燃比附近,电阻突变幅度大于2个数量级,具有较高的灵敏度.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
Ga2O3薄膜
,
氧敏性能
