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氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜

薛成山 , 王福学 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 陈金华 , 秦丽霞

功能材料

研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

关键词: GaN , Ga2O3/In2O3 , 氨化 , 磁控溅射

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