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氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜

王福学 , 薛成山 , 庄惠照 , 张晓凯 , 艾玉杰 , 孙丽丽 , 杨兆柱 , 李红

功能材料

研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.

关键词: GaN , Ga2O3/In , 氨化 , 磁控溅射

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