何彬
,
邢杰
,
段艳廷
,
赵登
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张瑞萍
材料导报
介绍了紫外光探测器的发展背景、基本工作原理,并从光导型和光伏型探测器两个方面综述了近10年来Ga2O3基探测器的研究现状.重点介绍了材料制备、掺杂等工艺参数对其紫外光探测性能的影响以及存在的问题,并对以后的研究工作进行了展望.
关键词:
紫外光探测器
,
光导
,
光伏
,
Ga2O3
李恩博
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尤俊轻
,
安鑫玉
,
单闻宇
,
刘水氧
硅酸盐通报
以凹凸棒石(PAL)为载体,沉淀法制备了Ga2OJPAL复合催化剂,采用IR、XRD、BET、TEM对催化剂结构进行表征,通过肉桂酸正丙酯的合成,由正交实验方法考察催化剂的制备条件和催化性能.结果表明,催化剂的较优制备条件是Ga2O3负载量为催化剂总质量的12％,前置液pH值为9,盐酸浸泡液浓度3.0 mol/L,焙烧温度460℃.使用所制催化剂合成肉桂酸正丙酯,产品酯化率不低于94.0％,催化剂具备良好的催化活性,可多次重复使用.
关键词:
催化剂载体
,
凹凸棒石
,
Ga2O3
,
肉桂酸正丙酯
王月辉
,
田宏燕
,
王红蕾
,
刘璐
,
王东军
硅酸盐通报
利用XRD、FESEM、SAED、EDS、HRTEM和PL分别时氧化镓之字形纳米材料的形貌和结构进行了分析.研究结果表明,之字形纳米氧化镓具有良好的结晶性,沿着[103]方向子自堆垛生长;光致发光光谱显示,氧化镓之字形纳米晶在370nm处有很强的发射峰,并有几十纳米的蓝移.
关键词:
Ga2O3
,
纳米材料
,
自堆垛
,
蓝移
杜江锋
,
赵金霞
,
罗谦
,
于奇
,
夏建新
,
杨谟华
功能材料
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.
关键词:
GaN
,
椭圆偏振光谱
,
InN
,
Ga2O3
梁建
,
王晓斌
,
张艳
,
董海亮
,
刘海瑞
,
许并社
人工晶体学报
采用水热法制备了不同形貌和尺寸的GaOOH前驱体.通过XRD、SEM和TEM进行表征,并探讨分析了GaOOH的生长机理.结果表明,前驱液的pH值对GaOOH的形貌有明显的调控作用并对其结晶度有一定影响.然后将制备的GaOOH前驱体分别在温度为600℃和900℃的空气中煅烧转化成了α-Ga2O3和3-Ga2O3.煅烧后的产物具有良好的形貌继承性.荧光光谱测试(λex=250 nm)结果显示,pH值为5时制备的GaOOH和Ga2O3的发射峰位于415 nm和465 nm,而在pH值为3和8时的发射峰均位于370 nm和465 nm.
关键词:
GaOOH
,
Ga2O3
,
水热法
,
光致发光
蒋斌
,
刘玉虹
,
李瑞红
,
向庆
,
曾迎
,
潘复生
稀有金属材料与工程
制备了Mg-14Li-1Al (LA141),LA141-0.3Y,LA141-0.3Sr和LA141-0.3Y-0.3Sr合金,采用动电势极化曲线,恒电势电流-时间曲线,交流阻抗技术以及扫描电子显微镜等手段测试了这些合金在0.7 mol/L氯化钠溶液中的电化学性能.研究了氧化镓作为电解液添加剂对镁合金恒电势放电性能的影响.结果表明:在有与无氧化镓的情况下,合金的电化学活性和利用效率都按照以下顺序递增:LA141＜LA141-0.3Sr＜LA141-0.3Y＜LA141-0.3Y-0.3Sr,电解液中添加氧化镓分别将放电电流密度和利用效率提高了至少4％和13％.交流阻抗测试结果表明合金的极化阻抗按照以下顺序递减:LA141＞LA14-0.3Sr＞LA141-0.3Y＞LA141-0.3Y-0.3Sr.扫描电子显微镜观察发现,镁中添加Y和Sr可以阻止合金表面浓密氧化物的生成并且可以加快其在电解液中的脱落.在提高镁合金电化学性能方面,Y的作用比Sr的作用强,当Y和Sr同时添加进镁合金中,效果都将比单独添加Y和Sr的任何一种更好.LA141-0.3Y-0.3Sr表现出了最好的电化学活性和利用效率,而且合金表面的放电产物也最疏松.
关键词:
LA141
,
钇和锶的添加
,
氧化镓
,
电化学性能
,
利用效率
