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低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

沈辉 , 潘晓明 , 宋元伟 , 奚益明 , 王评初

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.038

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.

关键词: SrTiO3 , GBBL电容器