袁慧敏
,
姜山
,
王文静
,
颜世申
,
萧淑琴
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.014
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
FeZrBNi三层膜
,
掺杂
袁慧敏
,
姜山
,
王文静
,
颜世申
,
萧淑琴
金属学报
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
FeZrBNi sandwiched film
,
doping
