周勇
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丁文
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陈吉安
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高孝裕
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王明军
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张亚民
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.006
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响.当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.当FeSiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5%;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2%.然而,当FeSiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8%.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应.对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12%.可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关.
关键词:
巨磁阻抗效应
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非晶FeSiB薄膜
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FeSiB/Cu/FeSiB多层膜
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薄膜厚度
