王芳
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许小红
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武海顺
稀有金属材料与工程
采用共溅射方法在玻璃基片上制备了(FePt)1-xCux合金薄膜,FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度,(FePt)1-xCux(x=19.5%)在350℃退火后可以使面内矫顽力Hc∥达到200 kA/m,垂直矫顽力hc⊥达到280 kA/m左右,而纯FePt仅有几千A/m.X射线衍射结果表明退火后形成的FePtCu三元合金是降低退火温度的主要原因.剩磁曲线分析表明Cu的加入不能明显降低晶粒间交换耦合作用.(FePt)1-xCux在400℃退火可以得到10-24m3的磁激活体积.
关键词:
FePt薄膜
,
退火温度
,
剩磁曲线
,
磁激活体积
展晓元
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张跃
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顾有松
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齐俊杰
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郑小兰
功能材料
采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)基片上制备了FePtAg颗粒薄膜.通过调整靶材的溅射速率、控制掺杂Ag元素的含量,选择适当的热处理工艺,获得了晶粒尺寸约5nm,分布均匀的FePt颗粒薄膜,矫顽力为3.2×105A/m,磁滞回线具有良好的矩形度,薄膜内部无交换耦合作用,适用于高密度磁记录介质材料.
关键词:
FePt薄膜
,
交换耦合
,
磁性能
,
热处理
展晓元
,
张跃
,
顾有松
,
郑小兰
,
张大勇
功能材料
采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了双层结构的FePt-X/Ag(X=Ag或Pt)薄膜.以20nm厚的Ag做衬底,可以制备出易磁化轴垂直基片的FePt合金薄膜;Ag在FePt薄膜中优先团聚,不利于控制FePt晶粒的长大,调整Pt的含量可以控制热处理过程中FePt薄膜的晶粒尺度;通过XRD、TEM、VSM对薄膜样品的结构、晶粒尺寸的观察和磁性检测,我们认为FePt合金薄膜有序化转变的最佳热处理温度在400℃;经过500℃热处理,薄膜软硬磁耦合较好,晶粒尺寸约为100nm,有最大的矫顽力1.04×106A/m.
关键词:
FePt薄膜
,
相结构
,
磁性能
,
热处理
娄敏毅
,
王德平
,
黄文旵
,
陈静
材料导报
由于FePt在超高密度磁存储材料方面的广阔应用前景及其局限性,研究人员对FePT薄膜进行了大量的研究及改性.根据国外近期在此领域的研究现状,综述了单相、复相及掺杂FePt薄膜的制备以及对结构和性质的影响.复相或掺杂主要是通过结构的改变来降低L10晶相转变温度和FePt颗粒的大小,通过其耦合作用来影响FePt薄膜的磁学性能,使其成为超高密度存储器材料.
关键词:
FePt薄膜
,
超高密度存储
,
复相
,
掺杂
董凯锋
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程晓敏
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鄢俊兵
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程伟明
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缪向水
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许小红
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王芳
,
杨晓非
功能材料
采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.
关键词:
FePt薄膜
,
矫顽力
,
退火时间
