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铁镍合金对复合电磁屏蔽材料性能的影响

朱国辉 , 左遥远

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.12.003

在导电组分中添加磁性合金粉末,利用复合效应增加电磁屏蔽材料的吸收损耗,以获得较好的屏蔽效能.通过在12%体积分数的金属镍粉中添加不同体积分数的FeNi合金,研究了复合材料中FeNi合金对电磁屏蔽效能的影响.实验结果表明,当加入4%体积分数的FeNi合金时,屏蔽效能最好.分析得出FeNi合金粉末的加入能够增加材料的磁导率,增加材料对电磁波的吸收,在提升屏蔽效能的同时达到低二次污染的目的.

关键词: 电磁屏蔽 , FeNi合金 , 屏蔽效能 , 吸收损耗

冷却-等温-冷却处理过程硼的晶界偏聚

吴平 , 贺信莱 , 王学敏 , 曹兵 , 于栋友

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.12.006

用径迹显微照相技术研究了含硼10×10-6和30×10-6的Fe-40%Ni合金在模拟冷却-等温-冷却处理过程后硼的晶界偏聚特征.结果表明,在从1150℃以2 C/s冷速分别冷却到1100℃,1000 ℃,900℃,800℃和700℃保温2min,然后再以2℃/s冷速冷却到600℃水淬的冷却-等温-冷却过程中,硼在晶界会形成明显的偏聚,晶界偏聚量随等温温度的下降先有所减少后增加,最低值在1000℃左右出现.含硼10×10-6合金在800℃以上温度等温后冷到600℃时,试样晶界偏聚包括连续硼偏聚带及一定量含硼析出相,其它试样沿晶硼偏聚带中硼主要以析出相形式存在.实验还观察到在晶内亚晶界上也有明显的硼偏聚存在,并在偏聚带两侧存在有贫硼区.在晶粒晶界与亚结构相交处,硼原子优先偏聚在晶粒晶界上.

关键词: FeNi合金 , , 晶界 , 偏聚

机械合金化制备的Fe1-xNix合金纳米晶粉末的形貌和微结构

王锦辉 , 朱如扬 , 陈允鸿 , 王健 , 都有为

功能材料

利用机械合金化方法制备了Fe1-xNix合金纳米晶粉末,X分别为0.15、0.45、0.80,球磨时间为2、4、8、16、40h.利用扫描电子显微镜和X射线分析仪观察和分析了样品的形貌和微结构.发现整个球磨过程可分为3个阶段.开始阶段,由于冷焊,Fe、Ni混合粉末凝聚成一些粒径较大的颗粒;在中间阶段,内应力达到最大值,原先形成的大颗粒破碎,粒径分布变窄;最后阶段,FeNi粉完全合金化,粒度再次增大.至40h时,可观察到层状结构.X=0.15样品40h时形成了体心立方结构,而X=0.45和0 80分别在40h和16h形成了面心立方结构.X=0.45系列40h以后晶粒平均粒径约为10nm,内应力在16h时有一极大值0.76%,在整个球磨过程中,测定的Ni含量偏离不超过3%(原子分数).

关键词: 机械合金化 , FeNi合金 , 纳米晶粉末 , 形貌 , 微结构

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