唐晓莉
,
张怀武
,
苏桦
,
钟智勇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.037
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中.
关键词:
半金属材料
,
自旋电子材料
,
Fe3O4薄膜
