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P型宽带隙半导体CuAl1-xFexO2的光电性能研究

赵学平 , 张铭 , 董国波 , 董培明 , 严辉

稀有金属材料与工程

采用固相反应合成了CuAl1-xFeO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量.结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构.随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高.当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1 S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20~32 meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为P型半导体.

关键词: P型 , 带隙 , 铜铁矿 , Fe掺杂CuAlO2

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