张维连
,
牛新环
,
吕海涛
,
张恩怀
,
孙军生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.022
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.
关键词:
直拉法
,
硅锗体单晶
,
氧碳含量
,
FTIR谱图
