范学丽
,
靖瑞宽
,
翁超
,
陈启省
,
王晏酩
,
肖红玺
,
刘还平
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0067
随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.
关键词:
TFT-LCD
,
湿法刻蚀
,
FI CD
,
均一性
