材料期刊网

基于黑磷纳米材料场效应管的电特性研究

汪列隆

人工晶体学报

以红磷、锡和四碘化锡为原料制备黑磷,并用黑磷(BP)纳米材料制作场效应管,用X射线衍射谱(XRD)和光学显微镜(OM)分析了BP样品的结构和形貌,并测试其输出特性曲线和转移特性曲线.BP样品厚度为12 nm,通过计算,其电子迁移率μe=248 cm2/Vs,电流开关比为～103.结果表明,基于BP纳米材料场效应管具有较好电子迁移率和开关比,为BP成为未来光电器件备选材料研究奠定基础.

关键词: 黑磷 , 形貌 , 场效应管 , FET性能