褚夫同
,
李川
,
汪振中
,
刘兴钊
稀有金属材料与工程
采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1.制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs),PI/Mo异质结用作声绝缘层.用矢量网络分析仪分析了FBARs的谐振特性,器件等效耦合系数达到5.4％.
关键词:
AlN
,
薄膜
,
聚酰亚胺
,
FBARs
