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不同价态稀土元素Eu掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构及光学性质

宫长伟 , 付现凯 , 王家恒 , 李晓飞 , 柴跃生

人工晶体学报

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势法对锐钛矿TiO2晶体和Eu3+,Eu2分别掺杂的锐钛矿TiO2晶体的晶格参数、能带结构、态密度、差分电荷密度以及吸收光谱进行了计算.结果表明:不同价态Eu掺杂后锐钛矿TiO2晶胞膨胀,晶格都发生畸变;同时引入了杂质能级,减小了锐钛矿相TiO2的禁带宽度,TiO2的光吸收带边发生明显红移,在紫外区和可见光区的吸收系数增大.

关键词: 第一性原理 , 锐钛矿TiO2 , Eu掺杂 , 电子结构 , 光学性质

ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响

王丹红 , 赵小如 , 谢海燕 , 刘金铭 , 白晓军 , 陈长乐

材料导报

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.

关键词: ZnO缓冲层 , 溶胶-凝胶法 , 光致发光 , 氧化钛 , Eu掺杂

溶胶-凝胶法制备Eu掺杂Sr2 MgSi2O7光致发光性能

徐光青 , 刘家琴 , 郑治祥 , 吴玉程

材料热处理学报

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备稀土离子Eu掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计(PL)对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试.XRD测试结果表明,在较低的处理温度下可获得Sr2MgSi2O7,但样品中也存在其它的杂质相.荧光光谱测试结果表明,经空气中处理的Eu3+在395 nm光激发下产生590 nm、610 nm的发射峰,通过氢气还原处理后得到的Eu2+离子的发光从250到400 nm的紫外区可以激发峰值为460 nm左右的宽谱带,且随氢气还原温度的升高和Eu离子掺杂浓度的提高发光强度也增强.

关键词: 溶胶-凝胶法 , Sr2MgSi2O7 , 光致发光 , Eu掺杂

稀土Eu掺杂纳米TiO2的荧光特性研究及其应用

张诺 , 丁卉 , 付德刚

功能材料

以Eu2O3试剂为荧光前驱体,与钛酸正丁酯在酸-水溶液中发生溶胶-凝胶反应,制备了一种可作为荧光标记分子的Eu3+/TiO2荧光性纳米微粒,并对样品的形貌、组成及结构进行了表征.结果表明,纳米粒子的平均粒径5nm.用468nm激发光源激发样品,荧光强度随着Eu3+的掺杂含量0、0.5%、1%、2%、3%、4%先升高后降低,当掺杂含量为2%时,荧光强度最强.采用倒置荧光显微镜观察了Eu3+/TiO2纳米荧光探针在洋葱表皮细胞膜上聚集受激发射荧光行为.

关键词: Eu掺杂 , TiO2 , 溶胶-凝胶法 , 荧光 , 洋葱表皮细胞

Li、Eu掺杂NaY(WO4)2荧光粉的合成与红色发光

李梦娜 , 雷芳 , 陈昊鸿 , 施鹰 , 赵景泰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13168

利用固相法合成了Li+、Eu3+掺杂的NaY(WO4)2红色荧光粉,并且用X射线粉末衍射仪和紫外-可见光谱仪进行了表征.研究发现纯相产物可以在1100℃下制备,然而稳定存在的温度区间仅约100℃.和已报道的燃烧法产物不同,Eu3+掺杂产物的发光性质证实了浓度猝灭现象的存在,掺杂9m01%时发光最强,有效激发波长是393 nm,发射光谱体现为高选择性的Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁,因此适合于解决白光LED中缺乏红光成分的问题.Li+掺杂既没有改变Eu3+红光发射的择优性,又能够调节发光强度.研究发现合适的Li+浓度可以增强发光,但是浓度过大或过小对发光不利,掺杂30mo1%时发光最强.这种变化规律可以归因于点阵缺陷增加和Y原子格位不对称性增强对发光强度的不同影响之间竞争的结果.

关键词: NaY(WO4)2 , Eu掺杂 , Li掺杂 , 白光LED , 荧光粉

化学溶液沉积制备涂层导体Eu0.3Ce0.7O1.85-x单一缓冲层

孙瑞萍 , 李果 , 蒲明华 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , 杨烨 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.

关键词: Eu掺杂 , CeO2单一缓冲层 , 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)

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