张学宇
,
吴化
,
刘耀东
,
吴爱民
人工晶体学报
采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)设备制备了氢化纳米晶硅薄膜.通过Raman光谱、XRD和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了Ar/H2对薄膜组织结构和光学性能的影响,并对沉积腔室的等离子体环境进行了系统的诊断.实验发现:少量Ar气的通入有利于提高腔室中的电子温度,保证纳米晶硅薄膜结构的同时提高薄膜的光学带隙宽度.进一步提高Ar气的比例,薄膜明显非晶化,光学性能下降.结合薄膜生长机理和放电气体电离特性对实验结果的产生原因进行了分析.
关键词:
nc-Si∶H
,
Ar/H2
,
等离子体诊断
,
ECR-PECVD
程华
,
钱永产
,
薛军
,
吴爱民
,
石南林
材料研究学报
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响.结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5-2倍,但是薄膜的结晶度较低；以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
ECR-PECVD
,
放电气体
程华王萍崔岩吴爱民石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体, 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR--PECVD)方法制备微晶硅薄膜, 研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明, 随着基片温度的升高, 薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶, 薄膜的粗糙度单调增大, 而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大, 禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
microcrystalline silicon film
,
ECR-PECVD
,
absorption coefficient
,
optical bandgap
吴先球
,
陈俊芳
,
熊予莹
,
吴开华
,
任兆杏
功能材料
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
键态结构
,
ECR-PECVD
张学宇
,
吴爱民
,
冯煜东
,
胡娟
,
岳红云
,
闻立时
人工晶体学报
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.
关键词:
ECR-PECVD
,
磷掺杂
,
微晶硅薄膜
,
霍尔测量
程华
,
张昕
,
张广城
,
刘汝宏
,
吴爱民
,
石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体,用电子问旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
Ar稀释SiH4
,
ECR-PECVD
,
微波功率
陈俊芳
,
吴先球
,
樊双利
,
王鑫
,
任兆杏
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.020
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
关键词:
光电子学
,
ECR-PECVD
,
氮化硅钝化膜
,
芯片
程华
,
王萍
,
崔岩
,
吴爱民
,
石南林
材料研究学报
以Ar＋SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
ECR
,
PECVD
,
吸收系数
,
光学带隙
