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顾彪 , 徐茵 , 秦福文 , 丛吉远 , 张砚臣 , 孙捷
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016
研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
关键词: 立方GaN , 低温生长 , 活化氮源 , ECR-PAMOCVD
