程华王萍崔岩吴爱民石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体, 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR--PECVD)方法制备微晶硅薄膜, 研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明, 随着基片温度的升高, 薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶, 薄膜的粗糙度单调增大, 而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大, 禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
microcrystalline silicon film
,
ECR-PECVD
,
absorption coefficient
,
optical bandgap
