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Nd3+:Gd3Ga5O12单晶的能级和晶体场计算

高进云 , 张庆礼 , 胡流森 , 闻军 , 夏上达 , 郭常新 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.017

测试了Nd3+:GGG单晶在可见和近红外波段的吸收光谱,并分析指认了它的实验能级,通过从头计算的DV-Xα方法计算得到了它的晶体场参数和旋轨耦合参数.用Nd3+:GGG在77 K和300 K的156个、88个实验能级,拟合了它的自由离子参数和晶体场参数,均方根误差(即拟合精度)σ分别为15.79 cm-1和11.48 cm-1.结果表明晶体场参数的拟合结果和从头计算值符合的很好.最后比较了拟合得到的Nd3+:GGG和已报道Nd3+:YAG的自由离子参数和晶体场参数.

关键词: 晶体 , Nd3+:GGG , DV-Xα方法 , 能级 , 晶体场参数

Ce:YIG磁光薄膜电子结构的计算

胡华安 , 王坚红 , 段志云 , 何华辉

功能材料

采用DV-Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce-YIG磁光薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁.对Ce3+的掺入,极大地增大了跃迁的振子强度;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋一轨道相互作用的耦合轨道;Ce3+的掺入产生了新的跃迁,它们是Ce-YIG的磁光效应增大的原因.

关键词: DV-Xα方法 , YIG磁光薄膜 , 磁光效应

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