刘宏伟
,
梁新刚
工程热物理学报
本文简单介绍了SOI和DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及DSOI MOSFET的热阻模型.进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSFET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果.
关键词:
SOI
,
DSOI
,
MOSFET
,
热阻模型
段传华
,
梁新刚
工程热物理学报
本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态.
关键词:
DSOI
,
MOSFET
,
亚微米
,
非平衡
,
热电耦合
