H.Q.Wang
金属学报(英文版)
TiO2 thin film has attracted considerable attention in recent years, due to its different refractive index and transparency with amorphous and different crystals in the visible andnearinfrared wavelength region, high dielectric constant, wide band gap, high wear resistance and stability, etc, for which make it being used in many fields. This paper aims to investigate the optical characterization of thin film TiO2 on silicon wafer. The TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron sputtering process from Ti target. The reflectivity of the films was measured by UV-3101PC, and the index of refraction (n) and extinction coefficient (k) were measured by n & k Analyzer 1200.
关键词:
optical characterization
,
null
,
null
张利伟
,
张兵临
,
姚宁
,
樊志琴
,
杨仕娥
,
鲁占灵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.042
采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应.在100s的时间内光电流能达到最大值的96%,当停止紫外光照射时,光电流在200s的时间内能恢复到暗电流,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料.
关键词:
直流反应磁控溅射
,
二氧化钛薄膜
,
光响应
,
光电流
张化福
,
类成新
,
刘汉法
,
袁长坤
人工晶体学报
以Zn∶ Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶ Zr透明导电薄薄膜.研究了沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.实验结果表明所制备的ZnO∶ Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向.沉积压强对ZnO∶ Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大.当沉积压强为2Pa时,ZnO∶ Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω ·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2％和1.97.
关键词:
直流反应磁控溅射
,
ZnO∶ Zr薄膜
,
透明导电薄膜
,
沉积压强
王进霞
,
洪瑞金
,
张涛
,
陶春先
,
张大伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.016
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜(Cu2O)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性.实验结果表明,沉积时间为3和6 min时,获得单一相的透明导电Cu2O薄膜;随着沉积时间的增加,薄膜由非晶态转变为(111)方向择优生长,薄膜致密且颗粒呈球状,其粗糙度的均方根(RMS)值增大,薄膜电阻率呈下降趋势;以罗丹明B(RhB)为探针分子,表征样品表面增强拉曼活性,通过对比不同样品表面RhB的拉曼光谱,其散射强度随薄膜表面粗糙度的增大而增强.
关键词:
透明导电薄膜
,
氧化亚铜
,
直流反应磁控溅射
,
沉积时间
,
电阻率
,
拉曼光谱
裴志亮
,
张小波
,
王铁钢
,
宫骏
,
孙超
,
闻立时
金属学报
采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜。研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明，多晶ZAO薄膜具有（001）择优取向且呈柱状生长，能量机制决定其微观生长状态。讨论了薄膜的内应力，高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力。优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到310-4-410-4cm和80%以上。
关键词:
直流反应磁控溅射
,
ZAO film
,
growth mechanism
