Xing′ao LI
,
Zuli LIU
,
Kailun YAO
材料科学技术（英文）
Copper nitride thin film was deposited on glass substrates by reactive DC (direct current) magnetron sputtering at a 0.5 Pa N2 partial pressure and different substrate temperatures. The as-prepared film, characterized with X-Ray diffraction, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy measurements, showed a composed structure of Cu3N crystallites with anti-ReO3 structure and a slight oxidation of the resulted film. The crystal structure and growth rate of Cu3N films were affected strongly by substrate temperature. The preferred crystalline orientation of Cu3N films were (111) and (200) at RT, 100℃. These peaks decayed at 200℃ and 300℃ only Cu (111) peak was noticed. Growth of Cu3N films at 100℃ is the optimum substrate temperature for producing high-quality (111) Cu3N films. The deposition rate of Cu3N films estimated to be in range of 18–30 nm/min increased while the resistivity and the microhardness of Cu3N films decreased when the temperature of glass substrate increased.
关键词:
DC magnetron sputtering
,
氮化铜薄膜
,
电阻率
,
显微硬度
Wenjie ZHANG
,
Shenglong ZHU
,
Ying LI
,
Fuhui WANG
材料科学技术（英文）
TiO2 thin films were prepared by DC magnetron sputtering with the oxygen flow rate higher than the threshold. The film deposited for 5 h was of anatase phase with a preferred orientation along the <220> direction, but the films deposited for 2 and 3 h were amorphous. The transmittance and photocatalytic activity of the TiO2 films increased constantly with increasing film thickness. When the annealing temperature was lower than 700℃, only anatase grew in the TiO2 film. TiO2 phase changed from anatase to rutile when the annealing temperature was above 800℃. The photocatalytic activity decreased with increasing annealing temperature.
关键词:
TiO2 film
,
null
,
null
,
null
孟超
,
王文文
,
顾宝霞
,
曹晔
,
刁训刚
,
康明生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.018
利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZnO
,
Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
光电特性
花银群
,
朱爱春
,
陈瑞芳
,
郭立强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.014
采用直流磁控溅射法,以高纯铝(99．99％)为靶材,高纯氩气(99．999％)为起辉气体,在经机械抛光的单晶 Si 衬底上制备铝纳米颗粒薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、光学薄膜测厚仪、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪分别测试了铝纳米颗粒薄膜的晶相结构、薄膜厚度、表面形貌及电阻率.XRD 衍射图谱表明此薄膜为面心立方的多晶结构,择优取向为Al(111)晶面.随溅射功率由30 W 增至300 W,铝纳米颗粒薄膜的沉积速率由3．03 nm/min 增加至20．03 nm/min；而随溅射压强由1 Pa 增加至3 Pa,沉积速率由2．95 nm/min 降低到1．66 nm/min.在溅射功率为150 W,溅射压强为1．0 Pa 条件下制备的样品具有良好的晶粒分布.随溅射功率从80 W 增大到160 W,样品电阻率由4．0×10－7Ω· m 逐渐减小到1．9×10－7Ω·m；而随溅射压强从1 Pa 增至3 Pa,样品电阻率由1．9×10－7Ω·m 增加到7．1×10－7Ω·m.
关键词:
直流磁控溅射
,
铝纳米颗粒薄膜
,
沉积速率
,
微结构
,
电阻率
王璟
,
丁雨田
,
张杨
,
陈小焱
,
张增明
,
尚兴记
人工晶体学报
采用直流反应磁控溅射法制备品种层薄膜,研究O2/Ar气体分压比和退火温度对品种层结构和微观形貌的影响.通过化学水浴沉积,在预制有晶种层的薄膜上制备ZnO纳米阵列结构,研究不同前驱体浓度和预制晶种层对纳米阵列生长的影响.结果表明,当O2/Ar中O2分压减少,薄膜均匀性较差,当Ar分压增加薄膜由于扩散而趋于平整.退火温度增加,晶粒尺寸增大,内应力降低.磁控溅射法预制的晶种层上生长的纳米棒垂直于衬底生长,(002)晶面的衍射峰强最高,说明纳米棒沿c轴择优取向.生长液的浓度对纳米棒的形貌影响显著,随着生长液浓度的升高,ZnO纳米阵列直径增大,顶端趋于平整的六棱柱结构.
关键词:
直流磁控溅射
,
晶种层薄膜
,
纳米阵列
,
ZnO
李姗
,
杨恢东
,
汪文明
,
雷飞
,
闵文骏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.20.002
采用直流磁控溅射技术在柔性衬底聚酰亚胺(PI)上制备ZnO∶Al透明导电薄膜,研究氢气压强对样品薄膜结构、形貌和光电性能的影响,并与玻璃衬底进行了对比.结果表明:所有制备的ZAO薄膜都是六方纤锌矿结构且具有高度的c轴择优取向;氩气压强对样品薄膜的性能有较大影响,具体表现在:随着压强的增大,晶粒尺寸先增大后减小,方块电阻值先减小后增大,最小值出现在压强为12 Pa,其值为12 Ω/sq,600～800nm薄膜的相对透射率为94％,高于玻璃衬底的相对透射率.
关键词:
氩气压强
,
柔性衬底
,
ZnO∶Al薄膜
,
直流磁控溅射
王建军
,
高崇
,
叶凡
,
刘春明
稀有金属材料与工程
垂直磁记录材料需要高的磁晶各向异性能.尝试了通过改变缓冲层成分来产生晶格畸变以提高磁晶各向异性的方法.300℃下,利用直流磁控溅射设备在RuV缓冲层上沉积了Co0.85W0.15磁性薄膜,其中Ru缓冲层中添加15％V.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的精细晶体结构,确定了薄膜的结构、取向关系、晶格常数、c轴分散性、fcc/hcp体积分数比和堆垛层错密度.根据实验结果,研究了Co0.85 W0.15/Ru0.85V0.85/MgO(1 11)薄膜的晶体结构和磁晶各向异性能间的关系.实验结果表明,由于缓冲层中V的添加,晶格常数比降低,显著提高了Co0.85W0.15薄膜的磁晶各向异性.因此,可以通过缓冲层的成分设计实现不同磁性材料的磁晶各向异性.
关键词:
Co-W磁性薄膜
,
直流磁控溅射
,
晶格常数比
,
磁晶各向异性能
任鑫
,
曹娇
,
施利毅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.028
采用直流磁控溅射-热处理二步法在多孔阳极氧化铝模板上制备出 TiO2纳米管阵列膜。将纳米管阵列膜转移到 ITO 导电玻璃，并分别与 P3 HT 和P3 HT∶PCBM组装成杂化太阳能电池。通过扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪和模拟太阳光光电性能测试系统化对TiO2纳米管阵列膜和其组装的太阳能电池进行了分析表征。在纳米管阵列膜和 ITO 玻璃之间加入TiO2结合层的 P3 HT∶PCBM基杂化太阳能电池表现出最好的转换效率。该方法制备的大面积TiO2纳米管阵列膜，纯度高、工艺稳定，在未来的聚合物太阳能电池商业化应用中具有巨大潜力。
关键词:
直流磁控溅射
,
热处理
,
纳米结构
,
杂化太阳能电池
,
阳极氧化铝模板
