常敬先
,
李海蓉
,
马国富
,
王鹏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).037
在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在 SOI 基上制备了形貌为类针状的 Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了 CuO 纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X 射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。 SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在 Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO 纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构, CuO纳米线直径约为80~100 nm,长度约为10μm, CuO 纳米线结晶性良好。
关键词:
SOI
,
铜膜生长法
,
前驱体
,
热处理
,
CuO 纳米线
叶芸
,
陈填源
,
蔡寿金
,
颜敏
,
刘玉会
,
郭太良
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13100
首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能.研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条.件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm.
关键词:
CuO纳米线
,
热氧化法
,
环境湿度
,
场发射
于晶晶
,
廖斌
,
张旭
,
周福增
,
伏开虎
,
吴先映
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15040101
采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维CuO纳米线(CuO NWs)阵列;利用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对CuO NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征.重点研究了不同氧化温度对CuO NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制.结果表明:CuO NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu20平均晶粒尺寸增大而减小,CuO NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50～ 120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落.同时也研究了CuO NWs阵列光催化降解甲基橙的能力.结果表明:CuO NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6％和87.2％.
关键词:
热氧化法
,
泡沫铜
,
CuO纳米线
,
光催化降解
,
甲基橙
