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金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

郭一欣 , 陈菲 , 任晓荣 , 程文娟

人工晶体学报

使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ～2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.

关键词: 磁控溅射 , Cu2SnS3 , 硫化 , 光学带隙

In Situ Controllable Growth of Cu2SnS3 Film as Low-Cost Counter Electrodes for Dye-Sensitized Solar Cells

Wei Xu , Xin Jiang , Jian-Min Chen , Rui-Qin Tan , Wei-Jie Song

金属学报 doi:10.1007/s40195-015-0234-8

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