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低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

郑望 , 陈猛 , 陈静 , 林梓鑫 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.023

用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过 程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

关键词: SOI , SIMOX , Secco , Cu-plating , 线缺陷