宋忠孝
,
鞠新华
,
徐可为
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.07.011
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475 MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149 MPa.
关键词:
扩散阻挡层
,
Cu-Zr合金膜
,
电阻率
,
残余应力
宋忠孝
,
唐武
,
徐可为
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.006
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法,分别以TiN、TaN、ZrN为扩散阻挡层,在单晶硅片上制备了Cu-Zr合金膜,膜在400oC氮气中退火1h.研究表明,不同扩散阻挡层上Cu-Zr膜的形貌不同,沉积态膜的组成颗粒以ZrN为扩散阻挡层的最小,退火后膜的颗粒长大,且Zr向膜表面和界面处扩散.沉积态的膜具有强的(111)取向,峰形宽化明显,退火后又出现(200)、(220)、(311)衍射峰,扩散阻挡层不同时Cu-Zr合金膜的(200)与(111)的强度比值不同.
关键词:
共溅射
,
扩散阻挡层
,
Cu-Zr合金膜
宋忠孝
,
鞠新华
,
徐可为
金属学报
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475 MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149 MPa.
关键词:
扩散阻挡层
,
null
,
null
