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Cu-W复合电沉积工艺和镀层电弧侵蚀性能研究

李广宇 , 张晓燕 , 李远会 , 闫超杰 , 朱礼兵 , 陈湘香

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.01.024

在纯铜表面利用复合电沉积的方法形成Cu-W复合镀层,使其满足电触头材料使用性能.研究了镀液中W的质量浓度、阴极电流密度、搅拌强度和温度工艺参数对Cu-W复合镀层中微粒含量的影响,并对Cu-W电接触材料的电弧侵蚀性能进行了分析.结果表明:在最佳的复合电沉积工艺下,Cu-W的复合沉积量质量分数在17%~23%;Cu-W电接触材料在电流<20A条件下,材料由阴极向阳极转移,电流>20A条件下,材料的转移方向相反;电弧侵蚀后Cu-W电接触材料的表面呈现凸起、凹坑和气孔等形貌特征.

关键词: 复合电沉积 , 电接触材料 , 电弧侵蚀 , 材料转移 , Cu-W复合镀层

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