徐玉松
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李鹏
,
靳翠平
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20140418.001
采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末,经N2、H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型,制备得到了Si3 N4原位增强Cu基复合材料(Si3N4/Cu),利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构.结果表明:复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大.在1 000℃下氮化,持续时间大于60 h时,粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移,同时晶格常数变小,表明Si从Cu基体中脱溶,与N反应生成Si3N4;Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长,Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高.
关键词:
复合材料
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Cu基
,
原位增强
,
Si3N4
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制备
