张飞鹏
,
杨欢
,
张忻
,
路清梅
,
张久兴
硅酸盐通报
基于密度泛函理论第一性原理计算的方法研究了Cu掺杂NiO氧化物的能带结构、电子能量状态密度和电荷分布,系统分析了其电输运参数和热电性能.能带结构计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物带隙减小.态密度计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的状态密度大大提高.电荷分布计算结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物阳离子和阴离子之间偏向共价结合.载流子输运参数分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物费米能级附近的载流子有效质量均增大,其迁移率降低,费米能级附近的载流子浓度增加.电输运性能分析结果表明,载流子在Op态、Ni d态、Cud态电子与Os、Op态、Ni s、Ni p态、Cu s、Cu p态电子形成的能级之间的跃迁形成载流子迁移过程.热电性能分析结果表明,Cu掺杂后NiO氧化物电阻率大大降低,Seebeck系数有望得到提高,Cu掺杂可提高NiO氧化物的热电性能.
关键词:
NiO
,
Cu掺杂
,
电输运参数
,
热电性能
宋兵
,
郑水林
,
李慧
,
孙建之
,
侯会丽
硅酸盐通报
随着对光催化材料研究的深入,金属掺杂在近几年的研究中发展迅速,其应用前景备受关注.文章结合近年来Cu掺杂TiO2光催化材料的研究情况,分析了Cu掺杂的掺杂机理,综述了Cu掺杂和Cu +X共掺杂TiO2光催化材料在制备,检测和性能表征方面发展现状,并对该研究方向的发展前景进行了展望.
关键词:
TiO2光催化材料
,
Cu掺杂
,
掺杂机理
,
共掺杂
周民杰
,
罗炳池
,
李恺
,
张继成
,
李佳
,
吴卫东
中国有色金属学报
doi:10.1016/S1003-6326(11)61298-3
利用离子束溅射法在硅基底上制备高纯Be薄膜并实现Cu元素的可控掺杂,利用x射线能谱、扫描电镜、x射线衍射以及透射电镜等对Cu掺杂Be薄膜进行表征分析.研究结果表明:Cu元素在Be膜内分布均一,且Cu掺杂量对Be薄膜的微观结构有显著影响.Cu掺杂能抑制Be晶粒生长,Be晶粒随着薄膜中Cu含量的增多而减小,并且尺寸分布更加均匀;Cu掺杂影响Be晶粒的生长取向,使其形成更为紧凑的薄膜结构.这些因素使得掺杂Cu的Be薄膜的表面粗糙度明显降低.
关键词:
铍
,
薄膜
,
铜掺杂
,
微结构
